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STH260N6F6-6數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號

STH260N6F6-6

功能描述

N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 12:00:00

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STH260N6F6-6規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

特性 Features

? Low gate charge
? Very low on-resistance
? High avalanche ruggedness

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :STH260N6F6-6

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-6

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.002

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :180

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Qg_typ(nC)

    :183

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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