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STH12NA60中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH12NA60
廠商型號

STH12NA60

功能描述

fast power mos transistor

文件大小

704.7 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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STH12NA60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω

■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STH12NA60

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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