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STH12N60中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH12N60
廠商型號

STH12N60

功能描述

fast power mos transistor

文件大小

704.7 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 13:36:00

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STH12N60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω

■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STH12N60

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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