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STGWT80V60F

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed; ? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n? Tail-less switching off\n? VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 80 A? Tight parameters distribution\n? Safe paralleling\n? Low thermal resistance;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n \n

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80V60F

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/gwt80v60f/marking.html">GWT80V60F；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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STGWT80V60F

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 120A 469W TO-3P

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STGFW80V60F

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,80Averyhighspeed

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT80V60F

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，80A

  • 開關(guān)能量：

    1.8mJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    60ns/220ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 120A 469W TO-3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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