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STGWA50IH65DF數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

STGWA50IH65DF

參數(shù)屬性

STGWA50IH65DF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650

功能描述

650 V、50 A軟開關溝槽柵場截止IH系列IGBT,TO-247長引線封裝
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-25 12:00:00

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STGWA50IH65DF規(guī)格書詳情

描述 Description

The newest IGBT 650 V soft-switching IH series has been developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications.

特性 Features

? Designed for soft-commutation only
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
? VCE(sat) = 1.5 V (typ.) @ IC = 50 A
? Minimized tail current
? Tight parameter distribution
? Low thermal resistance
? Low voltage drop freewheeling co-packaged diode
? Positive VCE(sat) temperature coefficient

簡介

STGWA50IH65DF屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGWA50IH65DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGWA50IH65DF

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :50

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :100

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :25

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :50

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.5

  • VF_typ(V)

    :1.75

  • Qg_typ(nC)

    :158

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.28

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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