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STGWA40H65DFB2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGWA40H65DFB2

參數(shù)屬性

STGWA40H65DFB2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

功能描述

650 V、40 A高速溝槽柵場截止HB2系列IGBT,TO-247長引線封裝
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-23 23:01:00

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STGWA40H65DFB2規(guī)格書詳情

描述 Description

The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

特性 Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
? Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 40 A
? Very fast and soft recovery co-packaged diode
? Minimized tail current
? Tight parameter distribution
? Low thermal resistance
? Positive VCE(sat) temperature coefficient

簡介

STGWA40H65DFB2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGWA40H65DFB2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGWA40H65DFB2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • PTOT_max(W)

    :227

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :45

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :72

  • Eoff_typ(mJ)

    :170

  • Err_typ(μJ)

    :1.6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-247
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TO-247 long leads
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ST系列在售,可接長單
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-247
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