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STGW60H65DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGW60H65DF |
| 參數(shù)屬性 | STGW60H65DF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 120A 360W TO247 |
| 功能描述 | 60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.92588 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 16:44:00 |
| 人工找貨 | STGW60H65DF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGW60H65DF規(guī)格書詳情
STGW60H65DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW60H65DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGW60H65DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，60A
- 開關(guān)能量：
1.5mJ（開），1.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
67ns/165ns
- 測(cè)試條件：
400V，60A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 650V 120A 360W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1926+ |
TO-247 |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO247-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
2675 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO247 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO247 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ST |
NA |
16355 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO247 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
30 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) |
