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STGW30N90D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW30N90D |
| 參數(shù)屬性 | STGW30N90D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 900V 60A 220W TO247 |
| 功能描述 | N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
159.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找貨 | STGW30N90D價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGW30N90D規(guī)格書詳情
STGW30N90D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGW30N90D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW30N90D
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
1.66mJ（開），4.44mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
29ns/275ns
- 測試條件：
900V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 900V 60A 220W TO247
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4420 |
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詢價 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
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詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-3P |
16900 |
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ST/意法 |
10+ |
TO-247 |
121 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
27500 |
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ST |
25+23+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
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詢價 |
