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STGW30N120KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
STGW30N120KD |
參數(shù)屬性 | STGW30N120KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 220W TO247 |
功能描述 | 30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
359.23 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-14 23:01:00 |
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STGW30N120KD規(guī)格書詳情
STGW30N120KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW30N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGW30N120KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.85V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
2.4mJ(開),4.3mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
36ns/251ns
- 測試條件:
960V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 60A 220W TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
121 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
STM |
23+ |
TO-247 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
24+/25+ |
5000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
ST |
1926+ |
TO-247 |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-247 |
16900 |
原裝,請咨詢 |
詢價 | ||
STM |
17+ |
TO-247 |
9888 |
只做原裝,現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
STM |
2018+ |
26976 |
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詢價 | |||
ST/意法 |
10+ |
TO-247 |
121 |
詢價 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |