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STGP3NC120HD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

STGP3NC120HD

參數(shù)屬性

STGP3NC120HD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 14A 75W TO220

功能描述

7 A、1200 V超快IGBT,帶超高速二極管
IGBT 1200V 14A 75W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-4 23:01:00

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STGP3NC120HD規(guī)格書詳情

描述 Description

This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH? technology combined with high voltage ultrafast diode.

特性 Features

? High voltage capability
? High speed
? Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode

簡介

STGP3NC120HD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGP3NC120HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGP3NC120HD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :1200

  • PTOT_max(W)

    :75

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :7

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :14

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :3

  • VCE(sat)_typ(V)

    :2.3

  • VF_typ(V)

    :1.6

  • Qg_typ(nC)

    :24

  • Eon_typ(mJ)

    :0.24

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.29

  • Qrr_typ(nC)

    :85

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導體)
24+
TO-220
942
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ST(意法)
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23+
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12700
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21+
TO220-3
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