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STGP30V60F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGP30V60F |
| 參數(shù)屬性 | STGP30V60F 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 260W TO220AB |
| 功能描述 | Low thermal resistance |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
1.45343 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
19 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-4 23:01:00 |
| 人工找貨 | STGP30V60F價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGP30V60F規(guī)格書詳情
STGP30V60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP30V60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGP30V60F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，30A
- 開(kāi)關(guān)能量：
383μJ（開(kāi)），233μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
45ns/189ns
- 測(cè)試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 60A 260W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
88755 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原裝，正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
19+ |
TO-220 |
4000 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
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只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
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詢價(jià) |
