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STGP30V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
STGP30V60DF |
參數(shù)屬性 | STGP30V60DF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 258W TO220AB |
功能描述 | Low thermal resistance |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
1.91768 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
22 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-4 23:01:00 |
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STGP30V60DF規(guī)格書詳情
STGP30V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP30V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
STGP30V60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
383μJ(開),233μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
45ns/189ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 60A 258W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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詢價(jià) | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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詢價(jià) | ||
ST |
1926+ |
TO-220AB |
6852 |
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ST/意法 |
24+ |
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5000 |
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詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
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20094 |
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ST |
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25+23+ |
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ST/意法 |
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ST |
22+ |
TO220 |
9000 |
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詢價(jià) |