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STGP15M65DF2

650 V、15 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT; ? 6 μs of short-circuit withstand time \n? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A \n? Tight parameter distribution \n? Safer paralleling \n? Low thermal resistance \n? Soft and very fast recovery antiparallel diode;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGP15M65DF2

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss

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STGP15M65DF2

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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G15M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V,15Alow-lossinaD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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STGB15M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V,15Alowloss

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STGB15M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V,15Alow-lossinaD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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STGF15M65DF2

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=15A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V15Alowloss

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGP15M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    90μJ（開），450μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    24ns/93ns

  • 測試條件：

    400V，15A，12 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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ST系列在售,可接長單
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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只做原裝,質(zhì)量保證
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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2020+
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7600
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
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ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
8860
原裝正品，支持實單
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-220-3
6000
進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多STGP15M65DF2供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 17:37:00

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