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STGHU30M65DF2AG

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g30m65df2ag/marking.html">G30M65DF2AG;Package:HU3PAK;Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package

Features ?AEC-Q101qualified ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?6μsofminimumshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?Lowthermalresistance ?Softandveryfast-recoveryantiparalleldiode ?Exc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP30M65DF2

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STGW30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGIB15CH60TS

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SDIP2B-26L

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相關(guān)企業(yè):深圳龐田科技有限公司

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