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STGP30M65DF2

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STGP30M65DF2

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP30M65DF2

溝槽柵場截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低損耗;

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP30M65DF2

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 30A TO-220AB

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWA30M65DF2

TrenchField-StopTechnologyIGBT

DESCRIPTION ·OptimizedforLowConductionLosses ·Tightparametersdistribution ·SaferParalleling ·Lowthermalresistance ·Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode APPLICATIONS ·PFCCircuits ·MotorDrives ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STGWA30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP30M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    300μJ(開),960μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    31.6ns/115ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 650V 30A TO-220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGP30M65DF2供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 23:00:00