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首頁(yè)>STGFW30H65FB>芯片詳情
STGFW30H65FB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGFW30H65FB品牌:ST/意法
ST/意法全新特價(jià)STGFW30H65FB即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
STGFW30H65FB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-3PF/TO-3PFM,SC-93-3的STGFW30H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGFW30H65FB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,30A
- 開(kāi)關(guān)能量:
151μJ(開(kāi)),293μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
37ns/146ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3PFM,SC-93-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3PF-3
- 描述:
IGBT 650V 60A 58W TO3PF
供應(yīng)商
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