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STGF6NC60HD數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

STGF6NC60HD

參數(shù)屬性

STGF6NC60HD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 20W TO220FP

功能描述

N溝道600 V、7 A超快IGBT
IGBT 600V 6A 20W TO220FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 15:16:00

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STGF6NC60HD規(guī)格書詳情

描述 Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advaced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “H” identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) mantaining a low voltage drop.

特性 Features

? Low on voltage drop (Vcesat)
? Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
? Low CRES/ CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
? High frequency operation

簡(jiǎn)介

STGF6NC60HD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGF6NC60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :STGF6NC60HD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :56

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :3

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :6

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :10

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.75

  • VF_typ(V)

    :1.6

  • Qg_typ(nC)

    :13.6

  • Eon_typ(mJ)

    :0.02

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.07

  • Qrr_typ(nC)

    :14

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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