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STGD5NB120SZ-1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD5NB120SZ-1
廠商型號

STGD5NB120SZ-1

參數(shù)屬性

STGD5NB120SZ-1 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 10A 75W IPAK

功能描述

N-CHANNEL 5A -1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
IGBT 1200V 10A 75W IPAK

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

350.5 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-8 18:35:00

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STGD5NB120SZ-1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

STGD5NB120SZ-1規(guī)格書詳情

STGD5NB120SZ-1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD5NB120SZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (

General Features

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ HIGHT CURRENT CAPABILITY

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURES

APPLICATIONS

■ LIGHT DIMMER

■ INRUSH CURRENT LIMITATION

■ PRE-HEATING FOR ELECTRONIC LAMP BALLAST

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD5NB120SZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    2.59mJ(開),9mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    690ns/12.1μs

  • 測試條件:

    960V,5A,1 千歐,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-251(IPAK)

  • 描述:

    IGBT 1200V 10A 75W IPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導體
23+
IPAK-3
12700
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