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STGD3NB60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
;;2.jpg)
廠商型號 |
STGD3NB60SD |
參數(shù)屬性 | STGD3NB60SD 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
322.75 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-10 23:01:00 |
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STGD3NB60SD規(guī)格書詳情
STGD3NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD3NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (<1kHz).
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE
DRIVEN)
■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ INTEGRATED WHEELING DIODE
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
APPLICATIONS
■ MOTOR CONTROL
■ GAS DISCHARGE LAMP
■ STATIC RELAYS
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGD3NB60SDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.5V @ 15V,3A
- 開關(guān)能量:
1.15mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
125μs/-
- 測試條件:
480V,3A,1 千歐,15V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 6A 48W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3375 |
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