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STGB30V60F

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed; ? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n? Tail-less switching off\n? VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A? Tight parameters distribution\n? Safe paralleling\n? Low thermal resistance;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB30V60F

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW30V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,30Averyhighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW30V60F

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,30Averyhighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP30V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    D2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VCES_max(V)：

    600

  • PTOT_max(W)：

    260

  • Freewheeling diode：

    false

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)：

    30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)：

    60

  • VCE(sat)_typ(V)：

    1.85

  • Qg_typ(nC)：

    163

  • Eon_typ(mJ)：

    0.38

  • Eoff_typ(mJ)：

    0.23

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更多STGB30V60F供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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