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STGB30V60DF數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STGB30V60DF規(guī)格書詳情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
? Tail-less switching off
? VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance
? Very fast soft recovery antiparallel diode
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：STGB30V60DF
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：260
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- VCE(sat)_typ(V)
：1.85
- VF_typ(V)
：2
- Qg_typ(nC)
：163
- Eon_typ(mJ)
：0.38
- Eoff_typ(mJ)
：0.23
- Err_typ(μJ)
：104
- Qrr_typ(nC)
：384
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
10000 |
只做全新原裝,實單來 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO-263 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
詢價 | |||
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83268825鄒小姐 |
詢價 | ||
ST |
2511 |
TO-263 |
16900 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 |
