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STGB19NC60WT4數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
STGB19NC60WT4 |
| 參數(shù)屬性 | STGB19NC60WT4 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 40A 130W D2PAK |
| 功能描述 | IGBT 600V 40A 130W D2PAK |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 18:29:00 |
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STGB19NC60WT4規(guī)格書詳情
簡介
STGB19NC60WT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGB19NC60WT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：STGB19NC60WT4
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：600V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：40A
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
：2.5V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值
：130W
- 開關(guān)能量
：81μJ（開），125μJ（關(guān)）
- 輸入類型
：標準
- 柵極電荷
：53nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值
：25ns/90ns
- 測試條件
：390V，12A，10 歐姆，15V
- 工作溫度
：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型
：表面貼裝
- 封裝/外殼
：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝
：D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINAXYJ |
23+ |
SMD |
9868 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
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ST(意法) |
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20094 |
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ST |
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D2PAK |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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詢價 | ||
清華同方 |
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0805 |
12000 |
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詢價 | ||
23+ |
0805 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | |||
STMICROELECTRONICS |
23+ |
NA |
12730 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
清華同方 |
13+ |
0805-0R |
4000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
