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STGB10NC60KT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGB10NC60KT4 |
| 參數(shù)屬性 | STGB10NC60KT4 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A 65W D2PAK |
| 功能描述 | N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
599.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-1 17:38:00 |
| 人工找貨 | STGB10NC60KT4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGB10NC60KT4規(guī)格書詳情
STGB10NC60KT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGB10NC60KT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGB10NC60KT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，5A
- 開關(guān)能量：
55μJ（開），85μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
17ns/72ns
- 測試條件：
390V，5A，10歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 20A 65W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO263 |
20000 |
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ST |
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22+ |
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24+ |
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