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STGB10NB37LZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGB10NB37LZ |
| 參數(shù)屬性 | STGB10NB37LZ 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W D2PAK |
| 功能描述 | 10 A - 410 V internally clamped IGBT |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | D2PAK / TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
751.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-1 11:20:00 |
| 人工找貨 | STGB10NB37LZ價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGB10NB37LZ規(guī)格書詳情
STGB10NB37LZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGB10NB37LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH?
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior. The built in collector-gate Zener exhibits
a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection.
特性 Features
■ Low threshold voltage
■ Low on-voltage drop
■ Low gate charge
■ High current capability
■ High voltage clamping feature
Applications
■ Automotive ignition
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGB10NB37LZT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
- 開關(guān)能量：
2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
1.3μs/8μs
- 測試條件：
328V，10A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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