首頁>STG20M65F2D7>規(guī)格書詳情
STG20M65F2D7數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STG20M65F2D7規(guī)格書詳情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
? 6 μs of short-circuit withstand time
? Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
? Tight parameter distribution
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：STG20M65F2D7
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- Qg_typ(nC)
：63
- Eoff_typ(mJ)
：0.56
- Die size(mm2)
：11.95
- tSC
：Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC |
24+ |
NA/ |
57 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST |
13+ |
TO-3P |
15 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
SGS-THOMSON |
23+ |
BGA |
19726 |
詢價 | |||
SAMSUNG/三星 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
SAMHOP/三合微科 |
23+ |
TSSOP8 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
ST |
23+ |
BGA |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
25+ |
PLCC-84 |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價 | ||
VBsemi |
24+ |
TSSOP8 |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
VBsemi |
24+ |
TSSOP8 |
12000 |
原裝正品 假一罰十 可拆樣 |
詢價 | ||
VBsemi |
24+ |
TSSOP8 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 |
