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STFW8N120K5數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

STFW8N120K5

功能描述

N溝道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-3PF封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 23:01:00

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STFW8N120K5規(guī)格書詳情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh? K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area
? Industry’s best FoM (figure of merit)
? Ultra-low gate charge
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :STFW8N120K5

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-3PF

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • PTOT_max(W)

    :48

  • Qg_typ(nC)

    :13.7

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
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