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STF25NM60ND中文資料N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
STF25NM60ND規(guī)格書詳情
描述 Description
These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技術參數(shù)
- 型號：
STF25NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220F |
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ST/意法 |
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TO-220F |
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ST(意法) |
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ST/意法 |
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