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STF24NM65N中文資料N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STF24NM65N

功能描述

N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-11 11:30:00

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STF24NM65N規(guī)格書詳情

描述 Description

This series of devices is designed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company?s strip layout to yield one of the world?s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

100% avalanche tested
Low gate input resistance
Low input capacitance and gate charge

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    STF24NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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