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STF12NM50ND中文資料N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
| 廠商型號 |
STF12NM50ND |
| 功能描述 | N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-11 23:01:00 |
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STF12NM50ND規(guī)格書詳情
描述 Description
The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
STF12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO22F |
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詢價 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO22F |
8850 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO22F |
50000 |
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詢價 | ||
ST |
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TO-220F |
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ST |
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ST/意法 |
23+ |
TO220FP |
25000 |
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SST |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
TO-220F |
1250 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 |
