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STF12N120K5中文資料N溝道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封裝數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STF12N120K5

功能描述

N溝道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-11 23:01:00

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STF12N120K5規(guī)格書詳情

描述 Description

這款超高壓N-溝道功率MOSFETs 采用MDmesh? K5技術進行設計。該技術以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎。因此,在要求高功率密度和高效率的應用中,導通電阻顯著降低,并具有極低的柵極電荷。

特性 Features

? 業(yè)界領先的低 RDS(on)x 面積
? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)(FoM)
? 極低的柵極電荷
? 經(jīng)過100%雪崩測試
? 穩(wěn)壓保護

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :STF12N120K5

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.69

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :40

  • Qg_typ(nC)

    :44.2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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