首頁>STF10NM60ND>規(guī)格書詳情
STF10NM60ND數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STF10NM60ND規(guī)格書詳情
描述 Description
These FDmesh? II Power MOSFETs with fast-recovery body diode are produced using MDmesh? II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these devices feature low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Fast-recovery body diode
Low gate charge and input capacitance
Low on-resistance R
DS(on)
100% avalanche tested
High dv/dt ruggedness
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
STF10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-220屬封 |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
1701+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 整包 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-220-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實單 |
詢價 | ||
STM |
21+ |
1000 |
TO-220FP-3 |
詢價 | |||
ST |
21+ |
TO-220屬封 |
10 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
STM |
21+ |
TO-220FP-3 |
1000 |
15年光格 只做原裝正品 |
詢價 |
