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STB5N52K3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB5N52K3
廠商型號

STB5N52K3

功能描述

N-channel 525 V, 1.2 ohm, 4.4 A SuperMESH3 Power MOSFET

文件大小

1.18185 Mbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-3 17:10:00

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STB5N52K3規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are made using the SuperMESH3? Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery characteristics

■ Zener-protected

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB5N52K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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