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SSM6J505NU

Marking：SP5；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.2Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=61mΩ(max)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=30mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=21mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=16mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=12m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J505NU

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -12 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-6 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J505NU

Power Management Switches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J505NU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.2Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=61mΩ(max)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=30mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=21mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=16mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=12m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J505NU_14

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術參數(shù)

  • Polarity：

    P-ch

  • VDSS(V)：

    -12

  • VGSS(V)：

    +/-6

  • ID(A)：

    -12

  • PD(W)：

    1.25

  • Ciss(pF)：

    2700

  • Qg(nC)：

    37.6

  • =1.2V：

    0.061

  • =1.5V：

    0.03

  • =1.8V：

    0.021

  • =2.5V：

    0.016

  • =4.5V：

    0.012

  • Number of pins：

    6

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    UDFN6B

  • Generation：

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.0 x 2.0 x 0.75

  • Package Size(mm^2)：

    4.00

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
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更多SSM6J505NU供應商 更新時間2025-7-27 22:58:00

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