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SSM3K56MFV

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID 0.8 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS 20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K56MFV

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K56ACT

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K56CT

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K56FS

High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    20

  • VGSS(V)：

    +/-8

  • ID(A)：

    0.8

  • PD(W)：

    0.15

  • Ciss(pF)：

    55

  • Qg(nC)：

    1.0

  • =1.5V：

    0.84

  • =1.8V：

    0.48

  • =2.5V：

    0.3

  • =4.5V：

    0.235

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    VESM

  • Generation：

    U-MOSⅦ-H

  • Width×Length×Height(mm)：

    1.2 x 1.2 x 0.5

  • Package Size(mm^2)：

    1.44

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
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DIODES/緹庡彴
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鍘熻姝e搧宸ュ巶鐜拌揣
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SOT-723
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TOSHIBA/東芝
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SOT-723
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更多SSM3K56MFV供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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