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SSM3K339R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K339R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    40

  • VGSS(V)：

    +/-12

  • ID(A)：

    2.0

  • PD(W)：

    1.0

  • Ciss(pF)：

    130

  • Qg(nC)：

    1.1

  • =1.8V：

    0.39

  • =2.5V：

    0.238

  • =4.5V：

    0.198

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Generation：

    U-MOSⅦ-H

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)：

    6.96

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM3K339R供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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