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SSM3K337R

絲印：KFP；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K337R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 38 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n;

Feature：Active clamp\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅣ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K337R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K337R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Life-cycle：

    新產(chǎn)品

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

  • Polarity：

    N-ch + Active Clamp Zener

  • VDSS(V)：

    38

  • ID(A)：

    2.0

  • =4.5V：

    0.176

  • =10V：

    0.15

  • Qg(nC)：

    3.0

  • Tch(℃)：

    150

  • Type：

    Built-in Active Clamp Zener

  • Drive voltage type：

    Logic-Level Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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SOT-23F
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多SSM3K337R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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