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SSM3K318R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID 2.5 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n;

Polarity：N-ch\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K318R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K318T

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SSM3K318T

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3K318T

Field-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOS??

○LoadSwitchingApplications ○High-SpeedSwitchingApplications ?4.5Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=145m?(max)(@VGS=4.5V) :RDS(ON)=107m?(max)(@VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Life-cycle：

    新產(chǎn)品

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    60

  • ID(A)：

    2.5

  • =4.5V：

    0.145

  • =10V：

    0.107

  • Qg(nC)：

    7.0

  • Tch(℃)：

    150

  • Drive voltage type：

    Logic-Level Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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SOT-23F
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SOT-23F
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SOT-23F
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TOSHIBA/東芝
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SOT23
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全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十
 詢價(jià)
更多SSM3K318R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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