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SSM3J356R數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

SSM3J356R

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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SSM3J356R規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰國(guó)

特性 Features

Drain current ID -2 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -60 V
Gate-Source voltage VGSS -20/+10 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SSM3J356R

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新產(chǎn)品

  • Package name(Toshiba)

    :SOT-23F

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.4 x 0.8

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-60

  • ID(A)

    :-2.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.36

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.3

  • Qg(nC)

    :8.3

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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