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SSM3J332R數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

SSM3J332R

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 21:09:00

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SSM3J332R規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國(guó)

特性 Features

Drain current ID -6 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SSM3J332R

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-30

  • VGSS(V)

    :+/-12

  • ID(A)

    :-6.0

  • PD(W)

    :1.0

  • Ciss(pF)

    :560

  • Qg(nC)

    :8.2

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :0.144

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.072

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.05

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.042

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :SOT-23F

  • Generation

    :U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)

    :6.96

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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