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SSM3J355R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -6 A \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰國(guó)\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J355R

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/kjb/marking.html">KJB；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    P-ch

  • VDSS(V)：

    -20

  • VGSS(V)：

    +/-10

  • ID(A)：

    -6.0

  • PD(W)：

    1.0

  • Ciss(pF)：

    1030

  • Qg(nC)：

    16.6

  • =1.8V：

    0.0523

  • =2.5V：

    0.0388

  • =4.5V：

    0.0301

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Generation：

    U-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)：

    6.96

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SSM3J355R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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