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SSM3J352F

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -2 A \nPower Dissipation PD 0.6 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V \n;

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J352F

絲印:KJW;Package:S-Mini;MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-12

  • ID(A):

    -2.0

  • PD(W):

    0.6

  • Ciss(pF):

    210

  • Qg(nC):

    5.1

  • =1.8V:

    0.443

  • =2.5V:

    0.199

  • =4.5V:

    0.136

  • =10V:

    0.11

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    S-Mini

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.9 x 2.5 x 1.1

  • Package Size(mm^2):

    7.25

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM3J352F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:01:00