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SSM3J328R

Power Management Switch Applications

○PowerManagementSwitchApplications ?1.5-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=88.4mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=56.0mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=39.7mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J328R

Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications ?PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=88.4mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=56.0mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=39.7mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=29.8mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J328R

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J328R

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SSM3J328R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -6 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國(guó)\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J328R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications ?PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=88.4mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=56.0mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=39.7mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=29.8mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J328R_14

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    P-ch

  • VDSS(V)：

    -20

  • VGSS(V)：

    +/-8

  • ID(A)：

    -6.0

  • PD(W)：

    1.0

  • Ciss(pF)：

    840

  • Qg(nC)：

    12.8

  • =1.5V：

    0.0884

  • =1.8V：

    0.056

  • =2.5V：

    0.0397

  • =4.5V：

    0.0298

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Generation：

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)：

    6.96

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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更多SSM3J328R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:12:00

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