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SSM3J326T

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J326T

Small-signal MOSFET; Drain current ID -5.6 A \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V \n;

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Product Category:

    Small-signal MOSFET

  • Package name(Toshiba):

    TSM

  • Recommended Product 1:

    SSM3J332R(Different package and similar characteristics)

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更多SSM3J326T供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00