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SSD35P06-C

Marking：35P06；Package：TO-252；P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

ADM35P06E

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●FastSwitching ●Improveddv/dtCapability ●GreenDeviceAvailable Description: TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

HLDF35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HLDF35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

TS35P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TS35P06G

35A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SECOS
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更多SSD35P06-C供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 11:10:00

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