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ADM35P06E

Marking：ADM35P06E；Package：TO-252-2；P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●FastSwitching ●Improveddv/dtCapability ●GreenDeviceAvailable Description: TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達廣東匯利達半導體有限公司

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HLDF35P06

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匯利達廣東匯利達半導體有限公司

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SSD35P06-C

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TS35P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TS35P06G

35A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

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更多ADM35P06E供應商 更新時間2025-7-27 15:01:00

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