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MTB50P03HDL	文件：182.05 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-channelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponen	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB50P03HDL	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP??hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB50P03HDLG	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP??hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB50P03HDLG	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50P03HDLG	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP50P03YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	SP-R5100BV1.1	PHI	22+	QFP100	5000	原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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