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首頁(yè)>SiRA10DP-T1-GE3>芯片詳情

SiRA10DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV中天科工二部

SiRA10DP-T1-GE3

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    SiRA10DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    20300

  • 產(chǎn)品封裝：

    DFN56-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-31 16:22:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SiRA10DP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世原裝特價(jià)SiRA10DP-T1-GE3即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    SiRA10DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SiRA10DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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