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首頁(yè)>SiHG47N60E-GE3>芯片詳情

SiHG47N60E-GE3_MICROCHIP/微芯科技_MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS中天科工一部

SiHG47N60E-GE3

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  • 廠家型號(hào)：

    SiHG47N60E-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROCHIP/微芯

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    32360

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-27 14:14:00

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原廠料號(hào)：SiHG47N60E-GE3品牌：MICROCHIP/微芯

MICROCHIP/微芯全新特價(jià)SiHG47N60E-GE3即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    SIHG47N60E-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    218.87 kb

  • 資料說(shuō)明：

    E Series Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SiHG47N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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