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SiHB33N60E數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

SiHB33N60E

參數(shù)屬性

SiHB33N60E 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK

功能描述

E Series Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

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SiHB33N60E規(guī)格書詳情

特性 Features

·Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses

技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SIHB33N60E-GE3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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