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SiHB12N65E數(shù)據(jù)手冊Vishay中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SiHB12N65E

功能描述

E Series Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-6 11:26:00

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SiHB12N65E規(guī)格書詳情

特性 Features

·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    SIHB12N65E

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    12 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.392 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    D2PAK-3

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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